از كاشت يون براي ايجاد نانوذرات نقره جاسازي شده در شيشه، پلي اورتان، سيليكون، پلي اتيلن، پلي (متيل متاكريلات) استفاده شده است. ذرات با استفاده از بمباران در ولتاژهاي با شتاب بالا جا سازي شدهاند. در چگالي جريان ثابت پرتو يون تا يك مقدار مشخص، اندازه نانو ذرات نقره تعبيه شده به عنوان monodisperse در جمعيت يافت شد، و پس از آن تنها غلظت يون مشاهده گرديد. افزايش بيشتر در پرتو يون منجر به كاهش اندازه و تراكم نانوذرات در بستر هدف ميگردد، زيرا پرتو يون در ولتاژ شتاب بالا با يك جريان به تدريج افزايشي يافته عمل مينمايد كه آن خود منجر به افزايش تدريجي اندازه نانوذرات ميگردد. مكانيسمهاي رقابتي اندكي وجود دارند كه ممكن است منجر به كاهش اندازهٔ نانوذرات، تخريب نانوذرات عليه تصادم، كندوپاش از سطح نمونه، همجوشي ذرات عليه گرما و تفكيك گردد.
از كاشت يون براي ايجاد نانوذرات نقره جاسازي شده در شيشه، پلي اورتان، سيليكون، پلي اتيلن، پلي (متيل متاكريلات) استفاده شده است. ذرات با استفاده از بمباران در ولتاژهاي با شتاب بالا جا سازي شدهاند. در چگالي جريان ثابت پرتو يون تا يك مقدار مشخص، اندازه نانو ذرات نقره تعبيه شده به عنوان monodisperse در جمعيت يافت شد، و پس از آن تنها غلظت يون مشاهده گرديد. افزايش بيشتر در پرتو يون منجر به كاهش اندازه و تراكم نانوذرات در بستر هدف ميگردد، زيرا پرتو يون در ولتاژ شتاب بالا با يك جريان به تدريج افزايشي يافته عمل مينمايد كه آن خود منجر به افزايش تدريجي اندازه نانوذرات ميگردد. مكانيسمهاي رقابتي اندكي وجود دارند كه ممكن است منجر به كاهش اندازهٔ نانوذرات، تخريب نانوذرات عليه تصادم، كندوپاش از سطح نمونه، همجوشي ذرات عليه گرما و تفكيك گردد.